公开/公告号CN115249767A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-28
原文格式PDF
申请/专利权人 南京工业职业技术大学;
申请/专利号CN202111570288.2
申请日2021-12-21
分类号H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/12;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/24;
代理机构南京灿烂知识产权代理有限公司;
代理人吴亚
地址 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大学城羊山北路1号
入库时间 2023-06-19 17:20:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-28
公开
发明专利申请公布
机译: 一种用埋入式浮栅形成浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的自对准方法,并由此形成了一种存储器阵列
机译: 一种半导体非易失性存储器件,其浮栅型参考单元在控制栅电极和浮栅电极之间短路
机译: 浮栅型场效应晶体管,其控制栅施加有用于从p型半导体浮栅撤离载流子的脉冲