半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机及键合方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机及键合方法，其特征在于，包括机体，设在机体上的真空腔体和用于将真空腔体进行抽真空的抽真空装置，所述真空腔体内设有用于分别放置待键合加工的半导体晶片的上样品台和下样品台，上样品台与下样品台相对设置且能够相对运动以使位于其上的两半导体晶片贴合；所述真空腔体内设有能够水平移动至两半导体晶片之间的阴极放电板；所述上样品台和下样品台上设有加热器，该加热器产生的热量传递给上样品台和下样品台上所定位的半导体晶片。该半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机可避免键合界面的气泡和氧化层的生成，可提高键合质量。