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二极管标准单元电路结构及版图结构

摘要

本发明公开了一种二极管标准单元电路结构,包括:负极相连的第一类型二极管和第二类型二极管;第一类型二极管由第一类型注入层和第二类型阱组成,其正极是连接受天线效应影响的CMOS器件的栅极,其负极是连接第二类型二极管的负极;第二类型二极管由第二类型注入层与第一类型阱形成,其正极连接第一类型阱,其负极是连接第一类型二极管的负极。本发明中的第一类型二极管能起到对第二类型二极管反偏截至的作用,避免漏电的产生。

著录项

  • 公开/公告号CN115101521A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202210624911.6

  • 发明设计人 虞蓓蕾;

    申请日2022-06-02

  • 分类号H01L27/02;

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人焦天雷

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2023-06-19 16:56:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    公开

    发明专利申请公布

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