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公开/公告号CN114899696A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-08-12
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN202210553081.2
发明设计人 王荣堃;王涵文;徐现刚;
申请日2022-05-19
分类号H01S5/02;H01S5/14;H01S5/183;
代理机构济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人张宏松
地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2023-06-19 16:30:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 专利申请号:2022105530812 申请日:20220519
实质审查的生效
机译: GaAs基激光器的方法和GaAs基激光器
机译: 用于铁磁半导体的GaAS衬底的制备方法,一种这样的半导体的制造方法,所得的衬底和半导体以及所述半导体的用途
机译: 一种用于制造被覆盖的,尤其是在gaas或inp上覆盖的半导体元件的方法,其中,通过化学途径回收衬底
机译:在AlAs / GaAs布拉格镜和衬底上生长的晶格不匹配的2μmGaSb基光抽运半导体激光器的记录脉冲功率演示
机译:在GaAs衬底上整体生长2μm锑基光泵浦垂直外腔表面发射激光器的连续波,室温操作
机译:通过激光剥离在GaAs衬底上的GaN基蓝紫色激光器
机译:含锗衬底的GaAs基对接二极管激光器中太赫兹差频率的产生
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:一种描述Gaas基量子阱中压力诱导图像混合的变分方法
机译:单片Gaas / si衬底上的Gaas / alGaas二极管激光器