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一种GaAs基VECSEL激光器的衬底腐蚀方法

摘要

本发明涉及一种GaAs基VECSEL激光器的衬底腐蚀方法,本发明的方法通过特定的腐蚀液控制粗腐蚀和细腐蚀的速度,粗腐蚀的腐蚀速度快,粗腐蚀的腐蚀速率为7.33μm/min,腐蚀后表面粗糙,在显微镜下容易观察,细腐蚀的腐蚀速率放缓,细腐蚀的腐蚀速率为2μm/min,腐蚀后表面光洁,肉眼可观察到与细腐蚀表面区别,克服了现有GaAs衬底腐蚀速率慢,腐蚀效果不稳定的难题,可以快速获得表面粗糙度小,平整度高的基于VECSEL激光器GaAs外延结构。

著录项

  • 公开/公告号CN114899696A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN202210553081.2

  • 发明设计人 王荣堃;王涵文;徐现刚;

    申请日2022-05-19

  • 分类号H01S5/02;H01S5/14;H01S5/183;

  • 代理机构济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人张宏松

  • 地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号

  • 入库时间 2023-06-19 16:30:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 专利申请号:2022105530812 申请日:20220519

    实质审查的生效

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