铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜

摘要

本发明提供一种铟锆硅氧化物靶材，其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相。藉由控制铟锆硅氧化物靶材所包含的结晶相，可使铟锆硅氧化物靶材维持高相对密度并具有低于4×10‑3奥姆‑厘米的平均体电阻率，从而显著降低直流溅镀期间发生的电弧放电次数。本发明另提供上述铟锆硅氧化物靶材的制作方法，其是将硅酸锆粉末及三氧化二铟粉末于真空环境下利用热压烧结的方式制备铟锆硅氧化物靶材，借以防止铟锆硅氧化物靶材产生双硅酸二铟结晶相。本发明亦提供一种铟锆硅氧化物薄膜，其是利用本发明的铟锆硅氧化物靶材经直流溅镀法溅镀而成。