TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法

摘要

本发明涉及一种TFT‑LCD单屏幕光电参数的测试方法，包括：提供TFT‑LCD单屏幕，TFT‑LCD单屏幕上设有测试点、SOURCE IC绑定位、FPC绑定位，SOURCE IC绑定位上涂覆有锡层，测试点包括VGG、GATE、VCOM、DATA‑RGB，DATA‑RGB位于SOURCE IC绑定位上，DATA‑RGB上涂覆有锡层；提供电测夹具，电测夹具上设有与测试点相对应的探头，VGG、GATE分别与相对应的探头连接，电测夹具上用于与DATA‑RGB连接的探头与涂覆在DATA‑RGB上的锡层连接，电测夹具上用于与VCOM连接的探头与FPC绑定位上的过孔连接；通过电测夹具向TFT‑LCD单屏幕与探头的连接点输入测试电压进行测试。

说明书

技术领域

本发明涉及LCD测试领域，特别是涉及一种TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法。

背景技术

TFT-LCD单屏幕测试得到的光电参数至少包括单体屏幕的电压-亮度曲线、响应速度曲线、透过率，现有的TFT-LCD单屏幕测试的技术方案是：TFT面板的引线脚上设有基本测试点(GATE、VCOM、Data-RGB、VGG)测试点与面板内部的相应电极通过导电引线连接，使用电测夹具通过金属线或金属探针与测试点电性连接，并通过电测夹具向测试点输入不同的电压进行光电参数测试。在TFT面板中常规的导电引线选择Mo(钼)材质，然而，对部分对湿度敏感的产品来说，VCOM测试点的导电引线采用ITO(氧化铟锡)材质，由于ITO的电阻较大，此时VCOM端等同于串联了一个较大的电阻，导致TFT-LCD单屏幕进行光电参数测试(如电压-亮度曲线、响应速度曲线)时，VCOM负载相比盒内正常像素大，从而无法准确测量光电特性的曲线，即现有的测试方法无法准确测试VCOM测试点的导电引线为ITO材质的产品的曲线参数。

术语说明：

GATE是指扫描线，相当于栅极；

VCOM是指公共极；

Data-RGB是指数据线，相当于源极；

VGG是指扫描线的开关，该极输入开启电压(30V直流电压)后扫描线电压才能进入，扫描线才有电压。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法，包括:

提供TFT-LCD单屏幕，所述TFT-LCD单屏幕上设有测试点、SOURCE IC绑定位、FPC绑定位，所述SOURCE IC绑定位上涂覆有锡层，所述测试点包括VGG、GATE、VCOM、DATA-RGB，所述DATA-RGB位于所述SOURCE IC绑定位上，所述DATA-RGB上涂覆有所述锡层；

提供电测夹具，所述电测夹具上设有与所述测试点相对应的探头，所述VGG、所述GATE分别与相对应的所述探头连接，所述电测夹具上用于与所述DATA-RGB连接的所述探头与涂覆在所述DATA-RGB上的所述锡层连接，所述电测夹具上用于与所述VCOM连接的所述探头与所述FPC绑定位上的过孔连接；

通过所述电测夹具向所述TFT-LCD单屏幕与所述探头的连接点输入测试电压进行测试。

进一步地，所述测试点与所述TFT-LCD单屏幕内部的相应电极通过导电引线连接，所述导电引线包括第一导电引线和第二导电引线，所述第二导电引线的电阻值大于所述第一导电引线。

进一步地，所述第一导电引线的材质包括钼，所述第二导电引线的材质包括氧化铟锡。

进一步地，分别与所述VGG、所述GATE、所述DATA-RGB连接的所述导电引线为所述第一导电引线，与所述VCOM连接的所述导电引线为所述第二导电引线。

进一步地，所述测试电压包括直流电压和交流电压。

进一步地，通过所述电测夹具向所述VGG、所述GATE、所述FPC绑定位上的过孔输入所述直流电压，通过所述电测夹具向涂覆在所述DATA-RGB上的所述锡层输入所述交流电压。

进一步地，所述FPC绑定位上的过孔输入的所述直流电压为参考电压0V，所述VGG输入的所述直流电压为30V，所述GATE输入的所述直流电压为17V，涂覆在所述DATA-RGB上的所述锡层输入的所述交流电压为0～7V。

相比于现有技术，本发明的技术方案至少存在以下有益效果：本发明提供的测试方法选取FPC绑定位上的过孔作为VCOM的测试点，有效地屏蔽了VCOM端因ITO引线电阻对于TFT-LCD单屏幕测试光电参数的影响。

附图说明

附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。

图1为常规TFT-LCD单屏幕测试光电参数的连接点示意图；

图2为常规TFT-LCD单屏幕测试光电参数时每一个基本显示单元像素点的等效电路图；

图3为VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕使用现有技术进行测试光电参数时每一个基本显示单元像素点的等效电路图；

图4为VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕测试光电参数的连接点示意图；

图5为FPC绑定位的过孔的结构示意图；

图6为VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕测试光电参数时每一个基本显示单元像素点的等效电路图；

图7为实施例1与对比例1的V-T曲线测试图；

图8为实施例1的响应速度曲线测试图；

图9为对比例1的响应速度曲线测试图。

附图说明：1-TFT-LCD单屏幕、11-VGG测试点、12-GATE测试点、13-DATA-RBG测试点、14-VCOM测试点、15-SOURCE IC绑定位、16-FPC绑定位、161-FPC绑定位的过孔、2-测试电压输入端。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

常规的TFT-LCD单屏幕产品中，GATE、VCOM、Data-RGB、VGG等测试点通过Mo导电引线与内部相应的电极连接，现有的TFT-LCD单屏幕测试的技术方案是：如图1所示，TFT-LCD单屏幕1上设有VGG测试点11、GATE测试点12、Data-RGB测试点13和VCOM测试点14，其中，Data-RGB测试点13位于SOURCE IC绑定位15上，将电测夹具上的探头与相对应的测试点电性连接，从测试电压输入端2向测试点输入不同的电压进行光电参数测试。由于VCOM测试点导电引线的阻值较小，此时如图所示2，像素电压U

鉴于此，本发明提供一种TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法，包括：提供TFT-LCD单屏幕、电测夹具，电测夹具与TFT-LCD单屏幕连接，并通过电测夹具向TFT-LCD单屏幕输入测试电压，其中，本发明中记载的TFT-LCD单屏幕的结构与现有的TFT-LCD显示器的结构相同，包括阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。具体地，如图4、图5所示，TFT-LCD单屏幕1上设有VGG测试点11、GATE测试点12、DATA-RBG测试点13、VCOM测试点14、SOURCE IC绑定位15、FPC绑定位16，其中，SOURCE IC绑定位15上涂覆有锡层用于屏蔽VGG测试点11的影响，DATA-RBG测试点13位于SOURCE IC绑定位15上，DATA-RBG测试点13上涂覆有锡层。电测夹具采用现有技术中已公开的应用于TFT-LCD单屏幕测试的设备，电测夹具上设有与上述测试点相对应的探头，将电测夹具与TFT-LCD单屏幕1连接，包括：VGG测试点11、GATE测试点12分别与电测夹具上相对应的探头连接，电测夹具上用于与DATA-RGB测试点13连接的探头与涂覆在DATA-RGB测试点13上的锡层连接，电测夹具上用于与VCOM测试点14连接的探头与FPC绑定位的过孔161连接；通过电测夹具从测试电压输入端2向TFT-LCD单屏幕1与探头的连接点输入测试电压进行测试。此时如图6所示，FPC绑定位的过孔161一端的电阻较小，像素电压U

适用于本发明提供的TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法的TFT-LCD单屏幕满足：VGG测试点11、GATE测试点12、DATA-RBG测试点13通过Mo导电引线与TFT-LCD单屏幕内部的相应电极连接，VCOM测试点14通过ITO导电引线与TFT-LCD单屏幕内部的相应电极连接。

通过电测夹具向TFT-LCD单屏幕1与探头的连接点输入测试电压进行测试，包括：向VGG测试点11输入30V的直流电压，向GATE测试点12输入17V的直流电压，向FPC绑定位的过孔161输入0V的直流电压，其中，0V为参考电压，向涂覆在DATA-RBG测试点13上的锡层输入0～7V的交流电压，交流电压的范围在0～7V范围内满足TFT-LCD产品在后续测试中相对亮度百分比达到100％时所需的电压值。测试电压不限于上述电压值及电压范围，测试电压的选定范围可根据TFT-LCD产品实际的工艺范围而定，本发明中，上述三个直流电压的值满足行业内大多数的TFT-LCD产品测试需要，具有适用性。

实施例1

提供VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕，如图4所示，TFT-LCD单屏幕1上设有VGG测试点11、GATE测试点12、DATA-RBG测试点13、VCOM测试点14、SOURCE IC绑定位15、FPC绑定位16，SOURCE IC绑定位15上涂覆有锡层，DATA-RBG测试点13位于SOURCE IC绑定位15上，DATA-RBG测试点13上涂覆有锡层，采用电测夹具与VGG测试点11、GATE测试点12、DATA-RBG测试点13上的锡层、FPC绑定位的过孔161建立电性连接并输入测试电压测试电压-透过率曲线(V-T曲线)、响应速度曲线。通过电测夹输入测试电压后，测量设备输出DATA-RBG的信号给予测试产品，同时测量测试产品的光学特性，并通过设备软件处理电信号-光学信号的关系从而得到测试曲线，其中，测量设备采用现有技术中已公开的应用于TFT-LCD单屏幕测试的设备。

电压-透过率曲线测试满足：向VGG测试点11输入30V的直流电压，向GATE测试点12输入17V的直流电压，向FPC绑定位的过孔161输入0V的直流电压，向DATA-RBG测试点13上的锡层输入100Hz，电压范围为0～7V的交流电压。

响应速度曲线测试满足：向VGG测试点11输入30V的直流电压，向GATE测试点12输入17V的直流电压，向FPC绑定位的过孔161输入0V的直流电压，向DATA-RBG测试点13上的锡层输入60Hz的±5.5V的方波电压。

对比例1

对比例1与实施例1的区别在于电测夹具与FPC绑定位的过孔161的连接点替换为电测夹具与VCOM测试点14连接，其他条件、特征、测试条件及参数与实施例1相同。

实施例1与对比例1的V-T曲线测试图如图7所示，图中(a)曲线为实施例1的V-T曲线，(b)曲线为对比例1的V-T曲线。对TFT-LCD产品来说，其V-T曲线呈先上升至极值后下降的形态，其原理为：在DATA-RGB输入电压信号超过1V后，由于克服了三极管的开启阀值，并且随着电压增大，液晶偏转的角度也越大，而液晶偏转的角度越大，则折射出来的光越多，故相对亮度百分比会逐步上升，当相对亮度百分比在上升至极值100％后，由于液晶本身的弹性，会往反方向作用，所以相对亮度百分在到达极值后亮度会下降。从图中两条曲线的对比可知，在相同的相对亮度百分比(也可理解为相同的透过率)的情况下，(a)曲线对应的电压更小，根据TFT-LCD单屏幕的特性可知(根据产品的物料特性及实际工艺可建立相关的理论模型预估得到产品在相对亮度百分比达到100％时对应的电压值，即对每种TFT-LCD产品其都有预设的在相对亮度百分比达到100％时对应的电压值)，当相对亮度百分比到达100％时，对应的电压值会处于5.5V附近，按照上述判断标准，(a)曲线符合标准。而(b)曲线相对于(a)曲线整体向右偏移，在相对亮度百分比到达100％时，对应的电压值处于7V附近，这也说明了对比例1所使用的测试方式无法正确反映出VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕的V-T曲线。

实施例1及对比例1的响应速度曲线测试图分别如图8、图9所示，图中上升的曲线是表示亮度上升的曲线，下降的曲线是表示亮度下降的曲线。上升曲线的时间加上下降曲线的时间就是产品的响应速度时间，其中，上升曲线时间选取：10％相对亮度百分比上升到90％相对亮度百分比的时间，下降曲线时间选取：90％相对亮度百分比下降到10％相对亮度百分比的时间。对于一个合格的TFT-LCD产品而言，其响应速度曲线满足：上升曲线上升到90％相对亮度百分比后，相对亮度百分比稳定在90％至100％之间。可以看到实施例1的响应速度时间更短，在11ms附近时，实施例1的相对亮度百分比约为90％，而对比例1约为75％，同时可以看到，实施例1中的上升曲线相对于对比例1更平稳，实施例1中的上升曲线上升至90％相对亮度百分比后相对亮度百分比处于90％至100％之间，也就是说波动范围在10％以内，而10％属于可允许的波动范围。这说明实施例1的响应速度更快，其光电特性趋近于稳定，更能正确地反应出VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕的光电参数，同时也表明该测试产品为合格的产品。而对比例1中上升曲线在上升后不稳定，上升曲线在达到85％相对亮度百分比后产生了波动，波动范围在57％至96％之间，波动范围达到了39％，这是由于VCOM测试点的受到DATA-RBG测试点的耦合作用，从而导致了使用对比例1的测试方法无法正确反映出VCOM端为ITO引线的TFT-LCD单屏幕的光电特性，也说明了采用对比例1的测试方法会产生误判。

除此之外，由于ITO导电引线的阻值是固定的，本发明提供的TFT-LCD单屏幕光电参数的测试方法还可以用于评估VCOM测试点因ITO导电引线阻值大造成的TFT-LCD单屏幕负载的影响，具体包括根据对ITO导线引线的欧姆阻值测试结果在VCOM端设计不同长度、宽度的ITO导电引线分别进行相关的V-T曲线测试和响应速度曲线测试以验证ITO导电引线对TFT-LCD单屏幕负载影响。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。