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单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件

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本发明提供一种单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件。上述边沿钝化方法包括：在刻蚀后的单晶硅太阳能电池的边沿表面涂覆钝化微粉组合物，所述钝化微粉组合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B

著录项

公开/公告号CN102263167B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-04-17

原文格式PDF
申请/专利权人英利能源(中国)有限公司;
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申请/专利号CN201110233299.1
发明设计人高艳杰;霍桢潮;雷浩;
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申请日2011-08-15
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号
入库时间 2022-08-23 09:13:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-04-17

授权

授权
2012-01-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20110815

实质审查的生效
2011-11-30

公开

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