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一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法

摘要

本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法,衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层;衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵浦源VCSEL输出某波长特定激光泵浦,使掺杂在VCSEL有源区下方的镧系稀土元素掺杂层内稀土粒子能级发生粒子数反转,光致发光,形成光子级联,其产生的新波长光在第二波长谐振腔内振荡,并由电吸收调制结构进行主动调制。

著录项

  • 公开/公告号CN114300943A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202111655783.3

  • 发明设计人 王智勇;代京京;兰天;

    申请日2021-12-30

  • 分类号H01S5/183(20060101);

  • 代理机构11335 北京汇信合知识产权代理有限公司;

  • 代理人林聪源

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

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