一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于光电子技术领域，器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、(Al1‑x1Gax1)y1In1‑y1P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、(Al1‑x5Gax5)y3In1‑y3P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层，通过优化渐变波导层结构设计，在AlGaInP渐变波导层中插入组分稳定(Al1‑xGax)yIn1‑yP结构，优化该层厚度设计，达到抑制电子溢出的目的，同时利用AlInP作为限制层具有较高的光限制因子，使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电压及工作电流，高温工作时更加稳定。