一种在单晶铁磁薄膜基底上生长层厚可控石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种在单晶铁磁薄膜基底上生长层厚可控石墨烯的方法，适用于制备层数可控的连续石墨烯薄膜。该方法是将单晶铁磁薄膜进行饱和溶碳，然后将饱和溶碳的单晶铁磁薄膜从生长温度向目标温度降温，降温速率≤1℃/min，使偏析生长所需层数的石墨烯，经冷却，得到单晶铁磁薄膜基底上层厚可控的石墨烯。本发明通过先饱和溶碳再降温来进行石墨烯从0层至所需层厚的生长，同时高温克服上层石墨烯与铁磁薄膜强相互作用力而形成的自我终止生长机制，进行偏析生长下层石墨烯，实现石墨烯的层层往下生长，制备出层厚可控、生长质量高的石墨烯。