公开/公告号CN114121619A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州乾晶半导体有限公司;
申请/专利号CN202111271477.X
申请日2021-10-29
分类号H01L21/04(20060101);H01L23/544(20060101);H01L29/16(20060101);
代理机构33260 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人姚宇吉
地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 碳化硅晶圆的碳化硅锭,制备方法和碳化硅晶圆的制备方法
机译: 碳化硅晶圆缺陷的测量方法,参考样品及制造碳化硅外延晶圆的方法
机译: 碳化硅晶圆碳化硅晶片的制造方法和制造晶片的系统