碳化硅晶圆划片技术研究

摘要

碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、导热性好、载流子迁移率高等优点,是第三代半导体材料的代表之一。因其莫氏硬度大,致使划片难度增大,严重制约了碳化硅器件的规模化发展;通过分析碳化硅的材料特性和现有划片技术特点,结合工艺试验,提出了几种碳化硅晶圆的划片方法,给出工艺参数并分析各自的优缺点,获得了理想的加工工艺。