首页> 外文OA文献 >Study on Low-temperature Silicon Wafer Bonding Technology
【2h】

Study on Low-temperature Silicon Wafer Bonding Technology

机译:低温硅晶圆键合技术研究

摘要

低温键合技术与其他键合技术相比,能够避免高温退火对器件造成的缺陷,在制作微机电系统(MEMS)器件、绝缘体上硅器件(SOI)以及压电和声光器件等领域有着广阔的应用前景。针对传统的低温键合技术不适合解决带活动结构晶圆的键合问题,论文提出了湿法活化与等离子体干法活化相结合的低温键合方法,以硅片的低温键合技术为研究对象,从理论研究、工艺研究以及质量评估三方面开展了如下研究: (1)从化学的角度分析了湿法活化、等离子体干法活化以及湿法活化与等离子体干法活化相结合的具体活化机制,并从表面能入手,对湿法活化与等离子体干法活化相结合的优点进行了分析。紧接着采用赫兹接触理论建立了键合模型,通过对模型的受力分...
机译:低温键合技术与其他键合技术相比,能够避免高温退火对器件造成的缺陷,在制作微机电系统(MEMS)器件、绝缘体上硅器件(SOI)以及压电和声光器件等领域有着广阔的应用前景。针对传统的低温键合技术不适合解决带活动结构晶圆的键合问题,论文提出了湿法活化与等离子体干法活化相结合的低温键合方法,以硅片的低温键合技术为研究对象,从理论研究、工艺研究以及质量评估三方面开展了如下研究: (1)从化学的角度分析了湿法活化、等离子体干法活化以及湿法活化与等离子体干法活化相结合的具体活化机制,并从表面能入手,对湿法活化与等离子体干法活化相结合的优点进行了分析。紧接着采用赫兹接触理论建立了键合模型,通过对模型的受力分...

著录项

  • 作者

    陶巍;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh_CN
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号