超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法

摘要

本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能有效保留超快闪存储器sidewall浮栅TiN薄膜，提高器件性能和均一性。