实时调节通孔刻蚀形貌的刻蚀方法及半导体刻蚀设备

摘要

本发明公开了一种实时调节通孔刻蚀形貌的刻蚀方法及半导体刻蚀设备，方法，包括：步骤1：基于预设的工艺配方对工艺腔室内的晶片进行通孔刻蚀工艺；步骤2：采集工艺腔室内反应气体等离子体辉光放电产生的OES光谱，实时获取OES光谱中特定元素发光波长对应的光谱信号强度，并计算光谱信号强度的斜率；步骤3：若当前时刻斜率位于对应的基准斜率范围之内，则继续刻蚀工艺，若当前时刻斜率位于对应的基准斜率范围之外，则调整特定工艺参数，使下一时刻所述特定元素发光波长对应的光谱信号强度的斜率位于下一时刻对应的基准斜率范围之内；步骤4：重复步骤2‑3直至完成通孔刻蚀工艺。实现提高连续刻蚀通孔形貌的一致性。