面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法

摘要

本申请提供一种面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法，半导体衬底和第一像素单元，半导体衬底上设有第一可见光吸收区域，第一可见光吸收区域位于第一像素单元的下方，第一可见光吸收区域包括第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层，第一N型区位于P型区的上方，且P型区和第一N型区相互接触，在P型区和第一N型区相接触的地方形成耗尽区，第二N型区与P型区并排布置，在P型区和第二N型区的下方设有栅介质层，栅介质层下方设有栅电极层，第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层形成传输管，通过如此设置，可以降低功耗。