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MoX2/WX2横向异质结的制备方法

摘要

本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法,通过将两种金属源配置成前驱体溶液,在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后,采用CVD法,即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结;本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离,也无需在实验过程中精确控制实验参数,即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结;通过改变X蒸汽的引入时间,还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数;本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利,没有产生合金现象,且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便,适用性较广,从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。

著录项

  • 公开/公告号CN114122194A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111406267.7

  • 发明设计人 王爽;于广辉;张燕辉;陈志蓥;

    申请日2021-11-24

  • 分类号H01L31/18(20060101);C23C16/30(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人卢炳琼

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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