一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法

摘要

本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。LED外延结构从下向上依次包括衬底、UGaN层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱发光层及P型GaN层。本发明于外延结构中增加应力缓冲层，可降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，并且可降低应力。而应力缓冲层中的AlGaN/AlN复合层降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，且高低温生长的GaN层能够有效的降低因Al导致的压应力增大问题，而良好的晶格质量为浅量子阱层InN/InGaN的结构生长提供了基础；AlGaN/AlN复合层的禁带宽度明显大于AlGaN结构，能进一步阻挡电子，提高电子利用率，从而提升发光效率；AlGaN/AlN复合层的设计，因反射率的不同，可更好地进行光的反射(类似布拉格反射DBR作用)，进而减少光在传输过程中的损失。