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氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件

摘要

本公开的实施例涉及氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件。一种器件,包括连接在第一节点与第一端子之间的可控电流源,第一端子耦合到可控二极管的阴极。电容器连接在第一节点与第二端子之间,第二端子耦合到可控二极管的阳极。第一开关连接在第一节点与第三端子之间,第三端子耦合到可控二极管的栅极。第二开关连接在第二端子与第三端子之间。第一二极管连接在第三端子与第二端子之间,第一二极管的阳极优选耦合到第三端子。

著录项

  • 公开/公告号CN114124062A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(图尔)公司;

    申请/专利号CN202111003833.X

  • 发明设计人 F·戈蒂埃;

    申请日2021-08-30

  • 分类号H03K17/74(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人董莘

  • 地址 法国图尔

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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