公开/公告号CN114124062A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(图尔)公司;
申请/专利号CN202111003833.X
发明设计人 F·戈蒂埃;
申请日2021-08-30
分类号H03K17/74(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人董莘
地址 法国图尔
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 包括无空隙埋入沟槽的场氧化物的半导体器件及其形成沟槽的方法
机译: 形成在沟槽中具有场氧化物的半导体器件的方法以及由此形成的器件
机译: 形成在沟槽中具有场氧化物的半导体器件的方法以及由此形成的器件