一种抑制铁电晶体管FeFET写涨落的方法

摘要

本发明提出了一种抑制铁电晶体管FeFET涨落的写操作方法，属于神经网络加速器领域。该方法利用FeFET源端电压负反馈机制，与写操作通路的NMOS(N1)和读操作通路的NMOS(N2)连接；FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，漏端连接于电源电压VDD，源端与N1和N2的漏端相连；N1和N2的源端连接于GND；读操作时，N1关断N2导通，提取FeFET沟道电导；写操作时，N1的栅电压固定，N2关断，则FeFET和N1构成源跟随负反馈写操作通路，FeFET的VGS随着极化翻转而自适应动态改变，抑制FeFET写操作涨落。本发明降低硬件开销和能耗，有利于高精度低功耗神经网络加速器芯片实现。