一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，在衬底上依次生长缓冲层、吸收层、带宽渐变层、电荷控制层、倍增层、腐蚀截止层和盖层；然后腐蚀盖层，形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，腐蚀停止在腐蚀截止层的上表面；然后在被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层，然后在电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层，之后积光学减反膜，并在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出金属接触窗口；之后利用光刻胶形成上电极和金属打线板，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触，上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在中央集电区的上方。