通过切克劳斯基法提拉硅单晶的方法

摘要

本发明涉及一种通过切克劳斯基法从熔体中提拉电阻率不超过20mΩcm的硅单晶的方法，其包括以第一提拉速度提拉颈的第一部分，从而与晶种的直径相比，颈的第一部分的直径以每毫米颈长度不小于0.3mm的速率逐渐缩减至不超过5mm的目标直径；以小于0.2mm/min的第二提拉速度在不少于3min的时间段提拉颈的第二部分，颈的第二部分的直径不增加到超过5.5mm；和以大于2mm/min的第三提拉速度提拉颈的第三部分。