纳米片场效应晶体管器件及其形成方法

摘要

本公开涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在纳米结构之上形成虚设栅极结构，其中，纳米结构在突出高于衬底的鳍上方，其中，纳米结构包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在纳米结构中在虚设栅极结构的相对侧上形成开口，这些开口暴露第一半导体材料的端部和第二半导体材料的端部；使第一半导体材料的暴露的端部凹陷，以形成第一侧壁凹部；用多层间隔件膜来填充第一侧壁凹部；去除多层间隔件膜的至少一个子层，以形成第二侧壁凹部；以及在去除至少一个子层之后，在开口中形成源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域密封第二侧壁凹部以形成密封的气隙。