公开/公告号CN114078894A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;
申请/专利号CN202110912830.1
申请日2021-08-10
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘媛媛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:14:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 专利申请号:2021109128301 申请日:20210810
实质审查的生效
机译: 具有防止暗电流的气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器和制造CMOS图像传感器的方法
机译: 具有空沟槽隔离结构的裸片的浅层生产方式以及使用该隔离层的CMOS图像传感器和CMOS图像传感器
机译: 具有空沟槽隔离结构的裸片的浅层生产方式以及使用该裸片的CMOS图像传感器和CMOS图像传感器