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公开/公告号CN114059125A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 巴斯夫欧洲公司;
申请/专利号CN202111374255.0
发明设计人 M·P·基恩勒;D·梅尔;M·阿诺德;A·弗鲁格尔;C·埃姆内特;
申请日2017-07-06
分类号C25D7/12(20060101);C25D3/16(20060101);C25D3/18(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人刘娜;刘金辉
地址 德国莱茵河畔路德维希港
入库时间 2023-06-19 14:12:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 7/12 专利申请号:2021113742550 申请日:20170706
实质审查的生效
机译: 用于钴电镀的组合物,其包含用于填充无空隙的亚微米特征的添加剂
机译: 钴电镀的组合物包含用于填充无空隙亚微米特征的添加剂
机译: 钴镀钴的组合物,包括用于无空隙亚微米特征填充的添加剂
机译:加速剂和抑制剂的组合,通过化学镀铜进行无空隙的沟槽填充
机译:低频噪声和电阻的组合测量,用于深亚微米互连中的空隙提取
机译:立方对称的酞菁包合物,包含相互连接的纳米级溶剂填充空隙
机译:使用单一添加剂3-(1-吡啶)-1-丙磺酸盐(PPS)的无空隙TSV铜填充
机译:非共轭电位步进吩噻嗪和吩恶嗪基聚合物空穴传输材料,用于染料敏化太阳能电池并增加多孔二氧化钛中的空隙空间:研究钴介体的扩散性能。
机译:3D添加剂制造的复合支架与抗生素负载的层状填充物用于骨感染防治和组织再生
机译:无空隙填充通过硅通孔的添加剂和当前条件的优化
机译:具有填充方钴矿结构的热电材料用于热电装置