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减少量测过程中光刻胶损伤的方法

摘要

本发明公开了一种减少量测过程中光刻胶损伤的方法,其包括以下步骤:步骤一,根据灵敏度和激光功率密度,形成不同模式的晶圆表面扫描方式;步骤二,在对应不同的偏振模式,形成多种扫描条件,然后对旋涂光刻胶的晶圆进行剂量试验;步骤三,同一个条件下一片晶圆的光刻胶重复扫描两次,并记录对应的Haze值,对比两次扫描后,最后得到每个条件的Haze变化值,Haze变化最小即为发生光刻胶损伤可能性最小,该条件为最佳扫描条件。本发明通过减少光刻胶对入射激光能量的吸收,从而降低激光对光刻胶的损伤。

著录项

  • 公开/公告号CN114047672A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202111408277.4

  • 发明设计人 曹爱;米琳;宁威;吴学;

    申请日2021-11-25

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘昌荣

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2023-06-19 14:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2021114082774 申请日:20211125

    实质审查的生效

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