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机译:光刻胶剥离过程中等离子体诱导的多孔超低k介电薄膜的损伤研究
Mattson Technology, Inc., Fremont, California 94538;
机译:低温蚀刻可减少等离子体引起的超低k电介质损坏
机译:具有超薄(<2nM)聚合物涂层的多孔超导-K介电膜的表面局部密封
机译:通过HMDS等离子体处理,原位修复等离子体诱导的损伤和帽电介质屏障常电恒材料
机译:H_2 / He等离子体在多孔MSQ Low-k膜上进行光刻胶剥离
机译:合理设计超低k介电材料的无损电容耦合等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺。
机译:非热介电屏障放电等离子体诱导的灭活涉及大肠杆菌中的氧化性DNA损伤和膜脂质过氧化。
机译:通过HMDS等离子体处理原位修复等离子体诱导的损伤和帽电介质屏障