公开/公告号CN102859666A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-01-02
原文格式PDF
申请/专利权人 西江大学校产学协力团;
申请/专利号CN201180016921.1
申请日2011-02-09
分类号H01L21/31(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠
地址 韩国首尔
入库时间 2024-02-19 17:42:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/31 授权公告日:20150513 终止日期:20190209 申请日:20110209
专利权的终止
2015-05-13
授权
授权
2013-02-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/31 申请日:20110209
实质审查的生效
2013-01-02
公开
公开
机译: 包括高温臭氧处理的纳米多孔超低介电薄膜的制备方法以及通过该方法制备的纳米多孔超低介电薄膜
机译: 包括高温臭氧处理的纳米级超低介电薄膜的制备方法及由此制备的纳米级超低介电薄膜
机译: 含高温臭氧处理的纳米级超低介电薄膜的制备方法及用相同方法制备的纳米级超低介电薄膜的制备方法