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包括高温臭氧处理的制备纳米多孔超低介电薄膜的方法以及由其制备得到的纳米多孔超低介电薄膜

摘要

本发明提供包括高温臭氧处理的制备纳米多孔超低介电薄膜的方法以及由其制备得到的纳米多孔超低介电薄膜;所述方法包括:通过混合含有有机硅酸酯基质的溶液和含有反应性致孔剂的溶液而制备混合溶液;将所述混合溶液涂覆在基底上形成薄膜;和对所述薄膜实施热处理并且在所述热处理的过程中实施臭氧处理;通过采用高温臭氧处理和优化的处理温度,而改善在所述薄膜中的微孔大小以及微孔分布,使得通过所述制备方法制备得到的纳米多孔超低介电薄膜可具有2.3以下的介电常数和10GPa以上的机械强度。

著录项

  • 公开/公告号CN102859666A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西江大学校产学协力团;

    申请/专利号CN201180016921.1

  • 发明设计人 李熙又;申波拉;崔圭润;金范锡;

    申请日2011-02-09

  • 分类号H01L21/31(20060101);

  • 代理机构31263 上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2024-02-19 17:42:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/31 授权公告日:20150513 终止日期:20190209 申请日:20110209

    专利权的终止

  • 2015-05-13

    授权

    授权

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/31 申请日:20110209

    实质审查的生效

  • 2013-01-02

    公开

    公开

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