Rensselaer Polytechnic Institute;
机译:通过对SiO2薄膜击穿后电阻的统计分析研究介电击穿机理
机译:PECVD低k碳掺杂二氧化硅介电薄膜的温度加速介电击穿
机译:沉积方法对PECVD低k碳掺杂二氧化硅介电薄膜介电击穿强度的影响
机译:飞秒击穿和电介质薄膜的击穿前行为
机译:飞秒激光的表征及其在介电薄膜击穿研究中的应用。
机译:铝微电极单脉冲阳极氧化过程中氧化膜的放电行为和介电击穿
机译:通过薄SiO2薄膜突破性抗撕裂性统计分析的介电击穿机制研究
机译:介电薄膜具有更高的击穿强度