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一种基于磁场调控二维铁磁CrI3荧光手性的多波长磁编码器

摘要

本发明属于磁光电子器件领域,具体涉及一种基于磁场调控二维铁磁CrI3荧光手性的多波长磁编码器,其结构由下至上依次为基底、二维铁磁CrI3和SiO2微球腔,二维铁磁CrI3和SiO2微球腔构建了CrI3/microsphere结构,利用微球腔的透镜作用和增强屏蔽效应从而增强增益区域与光学模式之间的耦合,提高二维铁磁CrI3的自发辐射效率和荧光强度,近而实现了近红外回音壁模式发光的磁场控制和编码,其具有良好的稳定性和可重复性。本发明采用铁磁二维材料来制造磁敏感元件,使得磁编码器更小型化、集成化和低成本;为利用铁磁二维材料耦合微球腔制备磁编码光子集成芯片奠定了基础,为磁存储、光子芯片和磁编码等领域提供了广阔的发展前景。

著录项

  • 公开/公告号CN114018297A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202111297848.1

  • 发明设计人 彭波;陈志勇;

    申请日2021-11-04

  • 分类号G01D5/16(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    公开

    发明专利申请公布

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