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一种紫外波段响应改善型硅光电二极管

摘要

本发明公开了一种紫外波段响应改善型硅光电二极管,属于光电器件技术领域,其包括由下至上依次设置的正电极、N型掺杂区、本征层、P型掺杂区、钝化层、荧光量子点层、负电极。本发明设置的荧光量子点层受紫外波段的光谱照射时,会发出受激发的发光光谱,而激发的发光光谱会再次被硅光电二极管响应,从而有效增强紫外波段光谱响应,使紫外波段灵敏度得到有效提升。本发明的器件结构简单、与传统制备工艺相兼容、成本较低,适合产业化应用。

著录项

  • 公开/公告号CN114023829A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 淮阴工学院;

    申请/专利号CN202111191587.5

  • 申请日2021-10-13

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0224(20060101);H01L31/105(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人张华蒙

  • 地址 223003 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号

  • 入库时间 2023-06-19 14:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 专利申请号:2021111915875 申请日:20211013

    实质审查的生效

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