硫离子注入单晶硅的响应波段拓展及其光电性能研究

目录

声明

摘要

§1．1引言

§1．2硅材料的基本性质

§1．3硅基光子学

§1．3．1硅基激光器

§1．3．2硅基非线性光学器件

§1．3．3硅基光调制器

§1．3．4中远红外波段硅基光子学

§1．3．5硅基光探测器

§1．4本论文的研究意义与主要内容

参考文献

§2．1引言

§2．2硅材料的杂质能级调制理论

§2．3离子注入工艺方法制备样品

§2．3．1半导体掺杂工艺

§2．3．2离子注入掺杂工艺

§2．3．3硫元素离子注入的参数选择与理论计算

§2．3．4硫元素掺杂硅片样品的制备

§2．4样品的性能表征

§2．4．1样品的硫元素浓度分布分析

§2．4．2样品的结晶度分析

§2．4．3样品的透过光谱分析

§2．5本章小结

参考文献

§3．1引言

§3．2半导体非线性吸收机理

§3．3测量材料可饱和吸收性能的方法

§3．3．1Z扫描方法测可饱和吸收性能

§3．3．2透过率方法测可饱和吸收性能

§3．4样品在通讯波段的可饱和吸收性能

§3．5样品在中红外波段的可饱和吸收性能

§3．6本章小结

参考文献

§4．1引言

§4．2调Q脉冲技术机理

§4．3样品在通讯波段的被动调Q性能研究

§4．3．1硅片样品在1．34μm被动调Q性能的研究

§4．3．2硅片样品在1．42μm被动调Q性能的研究

§4．4样品在2μm的被动调Q性能研究

§4．5本章小结

参考文献

第五章硅基红外波段光电探测器件的性能研究

§5．1引言

§5．2硅基光电探测器的制备

§5．2．1硅片样品的硫离子注入掺杂

§5．2．2硅基光电探测器的电极制备

§5．3硅基光电探测器的电学性能

§5．3．1硅基光电探测器的常温Ⅰ-Ⅴ曲线

§5．3．2硅基光电探测器的变温电阻

§5．4．1硅基光电探测器在1．34μm的光电探测性能

§5．4．2硅基光电探测器在2μm的光电探测性能

§5．4．3硅基光电探测器在2．8μm的光电探测性能

§5．5本章小结

§5．6参考文献

第六章总结与展望

§6．1主要研究工作

§6．2主要创新点

§6．3有待进一步开展的工作

攻读博士学位期间发表的学术论文

攻读博士学位期间所获奖励及授权专利情况

致谢

Paper 1

Paper 2