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一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法,属于防辐射技术领域。本发明要解决现有flash器件对空间辐射(尤其是单粒子效应)并不具有免疫性,而导致器件的性能下降、使用寿命短等问题。本发明由MAX制备Mxene,将重金属纳米颗粒填充于Mxene中,所制得的层状材料与树脂混合后涂覆于flash器件表面,所述防辐射材料为层状结构。本发明应用于航天器、核反应堆、核防护,医疗等领域,具有十分广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113990540A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202111144096.5

  • 发明设计人 吴晓宏;李杨;秦伟;卢松涛;洪杨;

    申请日2021-09-28

  • 分类号G21F1/02(20060101);G21F1/10(20060101);H01L23/552(20060101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘景祥

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-28

    公开

    发明专利申请公布

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