一种降低关断损耗的IGBT结构

摘要

本发明提供了一种降低关断损耗的IGBT结构，该结构在常规IGBT结构的基础上，在IGBT背面增添栅极结构和N+型电子发射区。当IGBT关断时给背面栅施加高电压，形成电子通路。该电子通路可以起到短路P型集电区的效果，在IGBT关断时提供电子抽取通道，从而显著加快关断过程中N型漂移区的少数载流子抽取速度，改善IGBT关断过程中的电流拖尾现象，降低器件在关断过程中的能量损耗。