CE端并联电容对IGBT关断损耗的影响

摘要

因为IGBT并联电容后会使关断时的CE端电压上升率减少，一些电路拓扑常使用CE端并联电容来减小IGBT关断损耗。但由于关断拖尾电流时间会同时增加，损耗减少效果将受到影响。制造厂商Datasheet资料都没有提供IGBT并电容关断损耗的信息，而并电容关断损耗特性对于一些拓扑效率评估以及电容参数设计将有重要意义。本文基于富士公司IGBT模块2MBI150U4B-120测试了不同并联电容和关断电流下IGBT关断损耗特性，指出了CE端并联电容对IGBT关断损耗的影响。