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【24h】

Non-punch-through IGBTs reduce turn-off losses at high temperatures

机译:非穿通IGBT可降低高温时的关断损耗

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摘要

The Non-Punch- Through (NPT) IGBTs process utilizes a reduced n- drift region providing superior high temperature turn-off performance at a lower cost than Punch-Through (PT) IGBT technologies.
机译:与穿通(PT)IGBT技术相比,非穿通(NPT)IGBT工艺利用减小的n漂移区域提供了卓越的高温关断性能,且成本更低。

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