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机译:非穿通IGBT可降低高温时的关断损耗
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机译:半超连通IGBT,具有相对高阻的P-TOP区域,用于低导通状态和关闭损耗
机译:使用IGBT模拟器估计IGBT模块的功率损耗,温度和功率周期寿命
机译:IGBT去饱和脉冲以减少关断损耗的概念
机译:非钳位感性负载条件下IGBT关断故障的综合研究
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:关断期间IGBT dV / dt及其温度依赖性的研究。