基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法，该单片集成器件包括AlGaN/GaN HEMT外延片，所述AlGaN/GaN HEMT外延片上按照一定水平顺序依次设有漏金属电极、栅金属电极、源漏金属电极、T型栅金属电极和源金属电极；并且所述漏金属电极、所述源漏金属电极和所述源金属电极分别与所述AlGaN/GaN HEMT外延片的AlGaN势垒层形成欧姆接触，所述栅金属电极和所述T型栅金属电极分别与所述AlGaN/GaN HEMT外延片的AlGaN势垒层形成肖特基接触。该单片集成器件实现了单片集成器件的微型化，具有高效率、低噪声、低功耗等性能特征，并且单片集成器件制备过程简单易行，成本较低，具有很高的应用价值和经济价值。