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可流动PECVD的低沉积速率

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摘要

公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于

公开/公告号CN113966412A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21

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申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN202080043118.6
发明设计人江施施;P·曼纳;A·B·玛里克;
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申请日2020-06-08
分类号C23C16/50(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/24(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/32(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/36(20060101);C23C16/40(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人付尉琳;侯颖媖
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:57:16

1. 可流动PECVD的低沉积速率 [P] . 中国专利： CN113966412A . 2022-01-21
2. 通过使用远程等离子体PECVD的FCVD硬件形成的可流动碳膜 [P] . 中国专利： CN105900214B . 2020.04.17
3. Low deposition rates for flowable PECVD [P] . KR20220005659A . 2022-01-13

机译：可流动PECVD的低沉积速率
4. LOW DEPOSITION RATES FOR FLOWABLE PECVD [P] . WO2020251882A8 . 2021-07-08

机译：可流动PECVD的低沉积速率
5. Process for forming PECVD nitride with a very low deposition rate [P] . 美国专利： US6235654B1 . 2001-05-22

机译：形成沉积速率非常低的PECVD氮化物的方法