包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法

摘要

本公开涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下步骤来形成图案化层：沉积具有有机组分的第一层，该有机组分具有包括至少50原子百分比的碳的组分；沉积包括硅的第二层；以及在第二层上沉积光敏层。在一些实施方式中，第一层是通过ALD、CVD或PVD工艺来沉积的。