電子放出デバイスに適したパターン化された粒状触媒、及びその製造方法

摘要

電子放出素子と基板の間に位置する分離面にパターン化された垂直放出電極を持つ電子放出デバイス。 カーボンナノチエーブからなる電子放出素子は、底面の基板の熱応力に適合した200°C～600°Cの温度範囲で成長する。 電子放出素子は、そのような低温で電子放出素子を成長させることのできる大表面蔵を持つ粒状触媒層上で成長する。