一种基于TSV技术的微电子封装结构

摘要

本发明属于集成电路芯片封装技术领域，具体涉及一种基于TSV技术的微电子封装结构。该结构包括具有硅通孔的转接板，一个或者多个半导体管芯耦合到该转接板上，该半导体管芯通过硅通孔连接到该转接板一侧的第一信号RDL重分布层。第二信号RDL重分布层位于该转接板的另一侧，并且电连接到硅通孔；并且，模塑化合物成形于转接板的边缘表面，从而固化该微电子封装结构。该结构的优点是微电子封装结构的尺寸可以显著的减少，并且不会发生翘曲的危险。并且诶，使用模塑化合物来代替底部填充材料来保护IC芯片和转接板之间的电连接，从而减少了微电子封装的体积大小。