公开/公告号CN113809191A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江芯国半导体有限公司;
申请/专利号CN202110920115.2
申请日2021-08-11
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/102(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李园园
地址 311421 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢908室
入库时间 2023-06-19 13:45:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-25
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L31/0352 专利申请号:2021109201152 登记生效日:20220214 变更事项:申请人 变更前权利人:浙江芯国半导体有限公司 变更后权利人:浙江芯科半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:311421 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢908室 变更后权利人:311400 浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢706室
专利申请权、专利权的转移
机译: 发射辐射的半导体元件包括具有多个氮化镓基层的碳化硅基衬底,该多个氮化镓基层包含布置在n导电层和受应力的p导电层之间的有源区。
机译: 单结晶氮化镓局部化的基质及其制备方法,涉及具有单个结晶氮化镓生长的局部区域的单晶硅基质
机译: 在用于LED的硅基板上将氮化铝镓/氮化镓设备集成到氮化铝镓LED的AC LED / LED上