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碳化硅基; 运营成本; 电信基础设施; 放大器; 氮化镓; 非对称型; 无线基站; 高线性度;
机译:氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和明天的氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和未来的车辆全文
机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
机译:关于硅基氮化镓,碳化硅和金刚石衬底的性能
机译:通过碳化硅上小于30埃厚的氮化镓盖层的增强隧穿,可降低接触电阻
机译:使用遗传算法设计氮化镓铟/氮化镓发光二极管,降低了效率下垂,并且降低了注入电流的光谱不稳定性
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。
机译:一种基于氮化镓的发光二极管器件的氮化镓基质分离方法,该器件包括可回收的氮化镓基质,能够降低制造成本和缺陷密度
机译:氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译:发射辐射的半导体元件包括具有多个氮化镓基层的碳化硅基衬底,该多个氮化镓基层包含布置在n导电层和受应力的p导电层之间的有源区。
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