一种可与双极工艺集成的硅基光电探测器分析

摘要

设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800μm×1000μm,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.4A/W,-3dB带宽为165MHz。