公开/公告号CN113782609A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所;
申请/专利号CN202111055507.3
申请日2021-09-09
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人沈廉
地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2023-06-19 13:40:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
授权
发明专利权授予
机译: 制造商的电荷耦合器件-采用两阶段多晶硅层工艺,可在同一衬底上形成MOSFET
机译: 多晶硅栅极工艺为电荷耦合器件提供了一种在多晶硅-1氧化物下固定多晶硅-2残留物的新颖解决方案
机译: 一种制备绝缘体上硅类型的衬底的方法