降低前馈效应的PSD型传输栅图像传感器及制作方法

摘要

本发明涉及模拟集成电路设计，为实现大满阱、低漏电，提升图像的信噪比以及动态范围。为此，本发明采取的技术方案是，降低前馈效应的PSD型传输栅图像传感器，含感光区PD，控制PD到存储节点FD电荷转移的传输栅TG以及复位管RST，当光照射半导体上时，一部分光被半导体吸收，当吸收的能量高于硅禁带宽度时，会产生电子空穴对，在内建电场的作用下，光生电子被PD中的耗尽区收集；读出时，TG开启，TG栅下沟道处于导通状态，PD中的光生电荷转移到存储节点FD中，其中，通过对传输栅TG进行重掺杂的P型掺杂，得到低的沟道关闭电势，增大PD与沟道的势垒高度。本发明主要应用于CMOS图像传感器设计制造场合。