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包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法

摘要

公开了用于形成包括多个碳层的结构的方法和系统,以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括形成第一碳层和第二碳层,其中第一碳层的密度和/或其它性能不同于第二碳层相应的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113699502A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASM IP私人控股有限公司;

    申请/专利号CN202110555371.6

  • 发明设计人 须佐圭雄;美山辽;菊地良幸;

    申请日2021-05-21

  • 分类号C23C16/26(20060101);C23C16/50(20060101);C23C16/56(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人焦玉恒

  • 地址 荷兰阿尔梅勒

  • 入库时间 2023-06-19 13:24:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 专利申请号:2021105553716 申请日:20210521

    实质审查的生效

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