公开/公告号CN113699502A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 ASM IP私人控股有限公司;
申请/专利号CN202110555371.6
申请日2021-05-21
分类号C23C16/26(20060101);C23C16/50(20060101);C23C16/56(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人焦玉恒
地址 荷兰阿尔梅勒
入库时间 2023-06-19 13:24:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 专利申请号:2021105553716 申请日:20210521
实质审查的生效
机译: 形成包括在其中具有电,光和流体互连中的一个或多个的互连层的键合半导体结构的方法,以及使用这种方法形成的键合半导体结构
机译: 在半导体层上制造透明导电氧化物的结构化层或在光电组件中使用碳改性方法的生产包括结构化半导体层和溅射导电氧化物
机译: 包括多种碳层的结构和形成和使用的方法