一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法

摘要

一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显，以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下：一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧，然后进行退火处理；二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层，然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层，并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效，不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内，可有效地改善TMDs的电接触。