公开/公告号CN113707642A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;
申请/专利号CN202110188923.4
发明设计人 崔福奎;
申请日2021-02-19
分类号H01L23/538(20060101);H01L25/18(20060101);G11C5/02(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人刘久亮;黄纶伟
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 13:24:42
机译: 半导体晶片减薄方法,包括在凹槽的一组侧面上沉积保护层,将晶片粘贴在支撑件上,以及从晶片的背面开始直到到达凹槽组的底部来减薄晶片
机译: 在晶片基板上产生用于中心行布置或晶片级封装的布线结构,包括溅射种子层以形成沟槽并施加铜层
机译: 在半导体晶片上沉积层的方法,包括在载体上沉积半导体晶片并在半导体晶片和载体之间进行相对运动以沉积特定层