一种基于β-Ga2O3/MgO异质结的三端口紫外光探测器及其制作方法

摘要

本发明属于日盲紫外光探测器技术领域，公开了一种基于β‑Ga2O3/MgO异质结的三端口紫外光探测器制作方法，包括以下步骤：采用镂空的叉指电极掩膜板遮挡光敏层，采用磁控溅射的方法在β‑Ga2O3薄膜表面溅射Ti/Au叉指金属电极作为晶体管电极的S端和D端，在MgO衬底背部溅射Ti/Au作为栅极G端，从而获得三端口的MSM结构的日盲探测器件。本发明实施例在(100)取向MgO衬底上能够生长出均匀分布的(00l)取向的β‑Ga2O3薄膜，晶格的匹配度高，晶格间结合紧密，外延层不易脱落；采用磁控溅射方法外延生长β‑Ga2O3薄膜层，工艺简单、易操作、可控性强，所得薄膜表面光滑、致密、厚度均匀，可用于批量的商业化制备，所得产品的性能稳定、重复性好。